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压力监测装置,压力检测装置,压力测试装置

更新时间:2021-10-13      浏览次数:1905

压力监测装置,压力检测装置,压力测试装置定义   1 3 9 1 5 1 9 1 8 3 6

     硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现极大变化,这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一切硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件,使之输出一个标准信号,就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。

  概述 

 压力监测装置,压力检测装置,压力测试装置采用具有先进技术进口陶瓷传感器,再配以高精密电子元件,经严格要求的工艺过程装配而成。它与使用的常规压力变送器相比。有两个显著不同的技术差别:一是测量元件采用新兴的高精密陶瓷材料;二是测量元件内无中介液体,是*固体的。

 扩散硅压力变送器 具有工作可靠、性能稳定、安装使用方便、体积小、重量轻、性能价格比高等点,能在各种正负压力测量中得到广泛应用。采用进口扩散硅或陶瓷芯体作为压力检测元件,传感器信号经高性能电子放大器转换成0-10mA或4-20mA统一输出信号。可替代传统的远传变送器,霍尔元件、差动变送器,而且具备DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型变送器性能。能与各种型号的动圈式指示仪、数字变送器、电子电位差计配套使用,也能与各种自动调节系统或计算机系统配套使用。

工作原理 

   被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。

技术指标

   精度等级:0.25级基本误差±0.25%

   非线性误差:0.3级≤±0.3%FS

   滞后误差: ≤±0.3%FS

输出特性:

①0-10mA输出,负载电阻0-1.5KΩ

②4-20mA输出,负载电阻0-600Ω

③恒流输出内阻大于10MΩ

④二线制4-20mA输出:标准供电DC24V

防爆标志:(RPT-Ⅲ):Exia Ⅱ CT4-6


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